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FDS5680 |
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | Fairchild Semiconductor | 15168 | 鐢佃瘽锛�0755-83217923 询价QQ：  |
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FDS5680参数 产品类别：分立半导体产品-FET - 单 说明：MOSFET N-CH 60V 8A SO-8 包装数量：2500 包装形式：带卷 (TR) PDF资料下载：  PDF文档FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源极电压 (Vdss)：60V 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：8A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：20 毫欧 @ 8A，10V 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：42nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1850pF @ 15V 功率 - 最大值：1W 安装类型：表面贴装 |
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热门型号： 陶瓷电容器SR075C103JAATR1 通孔电阻器MBA02040C3402FRP00 LED - 电路板SSF-LXH100MIGW D-SubDAMM15SNM 铝电容器AVS226M2AG24B-F 嵌入式 - FPGXC5VLX50T-3FFG665C 芯片电阻 - 表面RC0603FR-075R76L Card EdgeECC50DRES-S13 芯片电阻 - 表面RCL1225162RFKEG 数据采集 - 数字ISL22329WFU10Z-TK |
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